Предложена технология защиты памяти MRAM

Специалисты компании Philips предложили новую технологию, которая должна затруднить или даже сделать полностью невозможным несанкционированное чтение данных с чипов магниторезистивной памяти (MRAM).Специалисты компании Philips предложили новую технологию, которая должна затруднить или даже сделать полностью невозможным несанкционированное чтение данных с чипов магниторезистивной памяти (MRAM).

Память MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) обладает достоинствами динамической и флэш-памяти. Микросхемы MRAM характеризуются небольшим временем доступа и являются энергонезависимыми, то есть, могут хранить информацию в отсутствие питания. Кроме того, в отличие от флэш-памяти, характеристики чипов MRAM не ухудшаются во время эксплуатации. Кстати, микросхемы MRAM уже начала поставлять компания Freescale Semiconductor.

Теоретически злоумышленники могут считать данные непосредственно с магнитных слоев микросхем памяти MRAM даже в том случае, если такие чипы в силу конструктивных особенностей невозможно использовать в доступном оборудовании. Технология Philips как раз и призвана решить данную проблему.

Как сообщает New Scientist Tech, исследователи Philips предлагают накладывать поверх магнитного слоя микрочипа MRAM тончайший слой металла и слой, играющий роль постоянного магнита. В обычном состоянии поле постоянного магнита будет отклоняться, никак не воздействую на работу чипа. Однако в том случае, если злоумышленники попытаются вскрыть корпус микросхемы и получить доступ непосредственно к носителю, металлическая пленка порвется, и информация будет мгновенно уничтожена постоянным магнитом.

Достоинством новой технологии является то, что для защиты микрочипа не требуется никаких дополнительных источников питания. Компания Philips уже подала в Управление США по патентам и торговым маркам (USPTO) заявку на получение патента на разработанную методику.