Fujitsu представляет микросхему универсального WiMAX-адаптера Как мы уже не раз отмечали, в деле продвижения беспроводных технологий WiMAX, которые кто-то уже прочит в качестве основы для создания сетей мобильной связи четвертого поколения (4G), на мировую сцену все чаще выходит компания Motorola.Fujitsu представляет микросхему универсального WiMAX-адаптера Как мы уже не раз отмечали, в деле продвижения беспроводных технологий WiMAX, которые кто-то уже прочит в качестве основы для создания сетей мобильной связи четвертого поколения (4G), на мировую сцену все чаще выходит компания Motorola. Однако, и другие вендоры оборудования и решений не собираются стоять в стороне – наблюдатели полагают, что у технологии WiMAX есть все шансы получить широкое распространение в кратчайшие сроки.
Так, в ходе ежегодной конференции WCA (Wireless Communications Association), которая пройдет на следующей неделе в Вашингтоне, округ Колумбия, Fujitsu Microelectronics America (FMA) представит свои последние разработки, и в первую очередь – систему-на-чипе MB87M3400, в которой реализованы функции MAC-контроллера и процессора базовой логики физического (PHY) уровня стандарта IEEE 802.16-2004 (WiMAX). Учитывая, что это высокоинтегрированное решение содержит все необходимые аналоговые цепи для работы в частотном диапазоне от 2 до 11 ГГц, можно говорить о серьезной заявке Fujitsu на максимальную универсальность и готовность к быстрому выходу на рынок конечных устройств.
MB87M3400 поддерживает технологии мультиплексирования по ортогональным несущим (OFDM), режимы временного (TDD) и частотного (FDD) уплотнения, ширину каналов от 1,75 до 20 МГц. Максимальная пропускная способность при использовании квадратурной модуляции 64QAM в 192 несущих с шириной полосы 20 МГц достигает 75 Мбит/с.
Функции MAC-контроллера выполняет ARM926 RISC-микропроцессорное ядро. В систему-на-чипе также встроен многоканальный DMA-контроллер.

NEC Corporation также представила новинку "из области транзисторостроения". Была анонсирована совместная разработка для производства высокопроизводительных SOC-устройств на базе элементов, произведенных по 65-нм и 45-нм нормам.